IPA80R1K4CEXKSA1
IPA80R1K4CEXKSA1
Número de pieza:
IPA80R1K4CEXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12367 Pieces
Ficha de datos:
IPA80R1K4CEXKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 240µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220 Full Pack
Serie:CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):31W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:SP001271052
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPA80R1K4CEXKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 2.8A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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