Comprar IPB320N20N3 G con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 90µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO263-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 32 mOhm @ 34A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 136W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres: | IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3G IPB320N20N3GATMA1 SP000691172 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPB320N20N3 G |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2350pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 200V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
Email: | [email protected] |