BSZ028N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
Número de pieza:
BSZ028N04LSATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14254 Pieces
Ficha de datos:
BSZ028N04LSATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TSDSON-8-FL
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 63W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:SP001067016
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSZ028N04LSATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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