IPB240N03S4LR9ATMA1
IPB240N03S4LR9ATMA1
Número de pieza:
IPB240N03S4LR9ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH TO263-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14705 Pieces
Ficha de datos:
IPB240N03S4LR9ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 180µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-7-3
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:0.92 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):231W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres:SP000932012
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB240N03S4LR9ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 240A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH TO263-7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:240A (Tc)
Email:[email protected]

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