Comprar IPI45N06S3-16 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 30µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 15.7 mOhm @ 23A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 65W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | IPI45N06S3-16-ND IPI45N06S3-16IN IPI45N06S316X IPI45N06S316XK SP000102217 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IPI45N06S3-16 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2980pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 55V 45A (Tc) 65W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
Descripción: | MOSFET N-CH 55V 45A TO-262 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |