Comprar IPA50R950CE con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 100µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO220FP |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
La disipación de energía (máximo): | 25.7W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres: | IPA50R950CEIN IPA50R950CEXKSA1 SP000939328 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IPA50R950CE |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 231pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Super Junction |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 25.7W (Tc) Through Hole PG-TO220FP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |