Comprar IPA50R190CE con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 510µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO-220-FP |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
La disipación de energía (máximo): | 32W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Otros nombres: | IPA50R190CEXKSA1 SP000848220 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IPA50R190CE |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1137pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 47.2nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Super Junction |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |