IPA50R190CE
IPA50R190CE
Número de pieza:
IPA50R190CE
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13773 Pieces
Ficha de datos:
1.IPA50R190CE.pdf2.IPA50R190CE.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 510µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-FP
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 6.2A, 13V
La disipación de energía (máximo):32W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:IPA50R190CEXKSA1
SP000848220
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPA50R190CE
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1137pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:47.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:N-Channel 500V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18.5A (Tc)
Email:[email protected]

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