HUF75307T3ST
Número de pieza:
HUF75307T3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14291 Pieces
Ficha de datos:
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Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HUF75307T3ST
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 2.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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