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HN4K03JUTE85LF
- Número de pieza:
- HN4K03JUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15616 Pieces
- Ficha de datos:
- HN4K03JUTE85LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HN4K03JUTE85LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HN4K03JUTE85LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | USV |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 200mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Otros nombres: | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HN4K03JUTE85LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.5pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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