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ZVN3310ASTOA
- Número de pieza:
- ZVN3310ASTOA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12890 Pieces
- Ficha de datos:
- ZVN3310ASTOA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ZVN3310ASTOA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ZVN3310ASTOA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | E-Line (TO-92 compatible) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 625mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | E-Line-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | ZVN3310ASTOA |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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