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HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Número de pieza:
- HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18218 Pieces
- Ficha de datos:
- HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HN1B01FU-Y(L,F,T), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HN1B01FU-Y(L,F,T) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | NPN, PNP |
| Paquete del dispositivo: | US6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | HN1B01FU-Y(LFT)CT |
| Temperatura de funcionamiento: | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
| Frecuencia - Transición: | 120MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Descripción: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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