HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF
Número de pieza:
HN1B01FU-GR,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18881 Pieces
Ficha de datos:
HN1B01FU-GR,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor:NPN, PNP
Paquete del dispositivo:US6
Serie:-
Potencia - Max:200mW, 210mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:HN1B01FU-GR(L,F,T)
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FU-GRLF-ND
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FUGRLFTTR-ND
Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:HN1B01FU-GR,LF
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
Descripción:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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