GP1M003A050HG
GP1M003A050HG
Número de pieza:
GP1M003A050HG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12746 Pieces
Ficha de datos:
GP1M003A050HG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):52.1W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GP1M003A050HG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:395pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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