GP1M003A040CG
GP1M003A040CG
Número de pieza:
GP1M003A040CG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12167 Pieces
Ficha de datos:
GP1M003A040CG.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GP1M003A040CG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GP1M003A040CG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar GP1M003A040CG con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.4 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GP1M003A040CG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:400V
Descripción:MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios