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GB01SLT12-252
- Número de pieza:
- GB01SLT12-252
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13546 Pieces
- Ficha de datos:
- GB01SLT12-252.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GB01SLT12-252, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GB01SLT12-252 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.8V @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | 1242-1126 GB01SLT12252 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GB01SLT12-252 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Surface Mount TO-252 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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