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GB01SLT12-220
- Número de pieza:
- GB01SLT12-220
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17157 Pieces
- Ficha de datos:
- GB01SLT12-220.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GB01SLT12-220, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GB01SLT12-220 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.8V @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AC |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | 1242-1125 GB01SLT12220 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GB01SLT12-220 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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