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GA10SICP12-263
- Número de pieza:
- GA10SICP12-263
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15225 Pieces
- Ficha de datos:
- GA10SICP12-263.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GA10SICP12-263, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GA10SICP12-263 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.5V |
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK (7-Lead) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 100 mOhm @ 10A |
| La disipación de energía (máximo): | 170W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Otros nombres: | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GA10SICP12-263 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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