Comprar APTM50UM19SG con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 10mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | Module |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 19 mOhm @ 81.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1136W (Tc) |
embalaje: | Bulk |
Paquete / Cubierta: | J3 Module |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Chassis Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | APTM50UM19SG |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 22400pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 492nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 163A 1136W (Tc) Chassis Mount Module |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 163A J3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 163A |
Email: | [email protected] |