GA100JT17-227
GA100JT17-227
Número de pieza:
GA100JT17-227
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18733 Pieces
Ficha de datos:
GA100JT17-227.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):3.42V
Tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo:SOT-227
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 100A
La disipación de energía (máximo):535W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres:1242-1314
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:GA100JT17-227
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Característica de FET:-
Descripción ampliada:1700V (1.7kV) 160A 535W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1700V (1.7kV)
Descripción:TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:160A
Email:[email protected]

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