FQT5P10TF
Número de pieza:
FQT5P10TF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18092 Pieces
Ficha de datos:
1.FQT5P10TF.pdf2.FQT5P10TF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.05 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:FQT5P10TF-ND
FQT5P10TFTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQT5P10TF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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