Comprar IRF6811STRPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 35µA |
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Vgs (Max): | ±16V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ SQ |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric SQ |
Otros nombres: | IRF6811STRPBF-ND IRF6811STRPBFTR SP001530224 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRF6811STRPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1590pF @ 13V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
Descripción: | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 74A (Tc) |
Email: | [email protected] |