Comprar IRF6811STRPBF con BYCHPS
Compre con garantía
 
		| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 35µA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V | 
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ SQ | 
| Serie: | HEXFET® | 
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.7 mOhm @ 19A, 10V | 
| La disipación de energía (máximo): | 2.1W (Ta), 32W (Tc) | 
| embalaje: | Tape & Reel (TR) | 
| Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric SQ | 
| Otros nombres: | IRF6811STRPBF-ND IRF6811STRPBFTR SP001530224 | 
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje: | Surface Mount | 
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks | 
| Número de pieza del fabricante: | IRF6811STRPBF | 
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1590pF @ 13V | 
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Característica de FET: | - | 
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | 
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | 
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V | 
| Descripción: | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | 
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 74A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |