FQNL1N50BBU
FQNL1N50BBU
Número de pieza:
FQNL1N50BBU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13008 Pieces
Ficha de datos:
FQNL1N50BBU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92L
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:9 Ohm @ 135mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQNL1N50BBU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:270mA (Tc)
Email:[email protected]

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