Comprar FQI5P10TU con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I2PAK |
Serie: | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | FQI5P10TU |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 100V 4.5A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I2PAK |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |