FMM60-02TF
Número de pieza:
FMM60-02TF
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15293 Pieces
Ficha de datos:
FMM60-02TF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:ISOPLUS i4-PAC™
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 30A, 10V
Potencia - Max:125W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:i4-Pac™-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:FMM60-02TF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 33A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:33A
Email:[email protected]

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