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DMG4N60SJ3
- Número de pieza:
- DMG4N60SJ3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET NCH 600V 3A TO251
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15367 Pieces
- Ficha de datos:
- DMG4N60SJ3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMG4N60SJ3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMG4N60SJ3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | TO-251 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Potencia - Max: | 41W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMG4N60SJ3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 532pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 600V 3A (Tc) 41W Through Hole TO-251 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET NCH 600V 3A TO251 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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