FDT461N
Número de pieza:
FDT461N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19806 Pieces
Ficha de datos:
1.FDT461N.pdf2.FDT461N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 540mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1.13W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDT461N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:74pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 540mA (Ta) 1.13W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:540mA (Ta)
Email:[email protected]

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