AOTF5N100
AOTF5N100
Número de pieza:
AOTF5N100
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17660 Pieces
Ficha de datos:
1.AOTF5N100.pdf2.AOTF5N100.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.2 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):42W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOTF5N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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