FDMS86500DC
FDMS86500DC
Número de pieza:
FDMS86500DC
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19660 Pieces
Ficha de datos:
FDMS86500DC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:Dual Cool™, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 29A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.2W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS86500DCFSDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMS86500DC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7680pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 29A (Ta), 108A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 108A (Tc)
Email:[email protected]

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