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FDMS86163P
- Número de pieza:
- FDMS86163P
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12931 Pieces
- Ficha de datos:
- FDMS86163P.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDMS86163P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDMS86163P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 22 mOhm @ 7.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | FDMS86163PTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDMS86163P |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4085pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 100V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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