FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
Número de pieza:
FDMS86102LZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14396 Pieces
Ficha de datos:
FDMS86102LZ.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDMS86102LZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDMS86102LZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar FDMS86102LZ con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 69W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS86102LZ-ND
FDMS86102LZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMS86102LZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1305pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta), 22A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios