FDL100N50F
FDL100N50F
Número de pieza:
FDL100N50F
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12893 Pieces
Ficha de datos:
FDL100N50F.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:55 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDL100N50F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:238nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 100A (Tc) 2500W (Tc) Through Hole TO-264
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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