FDG410NZ
Número de pieza:
FDG410NZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17447 Pieces
Ficha de datos:
FDG410NZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-6
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):420mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:FDG410NZ-ND
FDG410NZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDG410NZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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