APT60M80JVR
APT60M80JVR
Número de pieza:
APT60M80JVR
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16010 Pieces
Ficha de datos:
APT60M80JVR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 5mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):568W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT60M80JVR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:870nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 55A 568W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:55A
Email:[email protected]

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