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FDFMA3P029Z
- Número de pieza:
- FDFMA3P029Z
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14467 Pieces
- Ficha de datos:
- FDFMA3P029Z.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDFMA3P029Z, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDFMA3P029Z por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 87 mOhm @ 3.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.4W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | FDFMA3P029ZDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FDFMA3P029Z |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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