Comprar FDFMA2P857 con BYCHPS
Compre con garantía
FDFMA2P857
- Número de pieza:
- FDFMA2P857
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15015 Pieces
- Ficha de datos:
- FDFMA2P857.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDFMA2P857, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDFMA2P857 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.4W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | FDFMA2P857DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FDFMA2P857 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FDFMA2P857
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
FDFMA2P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | Investigación |
|
FDFMA2N028Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | Investigación |
|
FDFMA2P853 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 | Investigación |
|
FDFMA2P859T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | Investigación |
 |
NTP85N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB | Investigación |
|
FDFMA3N109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | Investigación |
|
FDFMA2P853T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | Investigación |
 |
FDFMA3P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 | Investigación |
 |
FQPF3N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog