FDFC3N108
FDFC3N108
Número de pieza:
FDFC3N108
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14366 Pieces
Ficha de datos:
FDFC3N108.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-SSOT
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDFC3N108
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:355pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3A (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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