FDD6512A
FDD6512A
Número de pieza:
FDD6512A
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14618 Pieces
Ficha de datos:
FDD6512A.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 43W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD6512A
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1082pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.7A (Ta), 36A (Tc)
Email:[email protected]

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