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FDD4N60NZ
- Número de pieza:
- FDD4N60NZ
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15035 Pieces
- Ficha de datos:
- FDD4N60NZ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDD4N60NZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDD4N60NZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | UniFET-II™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 114W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | FDD4N60NZDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDD4N60NZ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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