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FDD3510H
- Número de pieza:
- FDD3510H
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17672 Pieces
- Ficha de datos:
- FDD3510H.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDD3510H, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDD3510H por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | TO-252-4L |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.3W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Otros nombres: | FDD3510HTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDD3510H |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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