BSO303P H
BSO303P H
Número de pieza:
BSO303P H
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17331 Pieces
Ficha de datos:
BSO303P H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 100µA
Paquete del dispositivo:PG-DSO-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:21 mOhm @ 8.2A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:BSO303P H-ND
BSO303PH
BSO303PHXUMA1
SP000613854
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSO303P H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2678pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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