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BSO303PNTMA1
- Número de pieza:
- BSO303PNTMA1
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 18208 Pieces
- Ficha de datos:
- BSO303PNTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSO303PNTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSO303PNTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 100µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | P-DSO-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 21 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO303P BSO303P-ND BSO303PNT BSO303PT SP000012622 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSO303PNTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1761pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 72.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.2A |
| Email: | [email protected] |
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