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FDC6401N
- Número de pieza:
- FDC6401N
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17579 Pieces
- Ficha de datos:
- FDC6401N.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDC6401N, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDC6401N por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SuperSOT™-6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 70 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 700mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres: | FDC6401N-ND FDC6401NTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDC6401N |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
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