FDB8878
FDB8878
Número de pieza:
FDB8878
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17948 Pieces
Ficha de datos:
FDB8878.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):47.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDB8878
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1235pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 48A (Tc) 47.3W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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