FDB8870_F085
FDB8870_F085
Número de pieza:
FDB8870_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19247 Pieces
Ficha de datos:
FDB8870_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.9 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:FDB8870_F085DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDB8870_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta), 160A (Tc)
Email:[email protected]

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