FDB0170N607L
FDB0170N607L
Número de pieza:
FDB0170N607L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14328 Pieces
Ficha de datos:
FDB0170N607L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK (7-Lead)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 mOhm @ 39A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 250W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Otros nombres:FDB0170N607LDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDB0170N607L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:19250pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:243nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 300A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) D2PAK (7-Lead)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

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