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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC8009
EPC8009
EPC8009
Número de pieza:
EPC8009
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12228 Pieces
Ficha de datos:
1.EPC8009.pdf2.EPC8009.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC8009, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC8009 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:130 mOhm @ 500mA, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1078-2
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:EPC8009
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:52pF @ 32.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.45nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:65V
Descripción:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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