ECH8697R-TL-W
ECH8697R-TL-W
Número de pieza:
ECH8697R-TL-W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15178 Pieces
Ficha de datos:
ECH8697R-TL-W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Paquete del dispositivo:SOT-28FL/ECH8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11.6 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:ECH8697R-TL-W-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:ECH8697R-TL-W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 10A 1.5W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción:MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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