ECH8695R-TL-W
ECH8695R-TL-W
Número de pieza:
ECH8695R-TL-W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12885 Pieces
Ficha de datos:
ECH8695R-TL-W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo:SOT-28FL/ECH8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max:1.4W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:ECH8695R-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:ECH8695R-TL-W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción:MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A
Email:[email protected]

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