ECH8315-TL-W
ECH8315-TL-W
Número de pieza:
ECH8315-TL-W
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12873 Pieces
Ficha de datos:
ECH8315-TL-W.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-28FL/ECH8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:ECH8315-TL-W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:875pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 7.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

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