Comprar IPI70N10S312AKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 83µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 125W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | IPI70N10S3-12 IPI70N10S3-12-ND SP000407124 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPI70N10S312AKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4355pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |